收藏本站
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
* Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 ? A
0.5
* Notes :
1. V GS = 10 V
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
0.8
-100
-50
0 50 100
o
150
200
0.0
-100
-50
0 50 100
o
2. I D = 8.3 A
150
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
20
2
10 ? s
10
1
100 ? s
1 ms
10 ms
100 ms
15
10
10
1. T C = 25 C
0
-1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
* Notes :
o
10
5
2. T J = 150 C
o
3. Single Pulse
10
10
10
10
-2
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ C]
V DS , Drain-Source Voltage [V]
o
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
0
D = 0 .5
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
1 . Z ? J C (t) = 0 .6 C /W M a x .
10
-2
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
* N o te s :
o
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z ? J C (t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA16N50_F109 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDA18N50 MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
FDA20N50_F109 MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
FDA20N50 MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
FDA24N40F MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN
FDA24N50F MOSFET N-CH 500V 24A TO-3
FDA24N50 MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
FDA28N50F MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
FDA28N50 MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
相关代理商/技术参数
FDA18N50 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDA200ES 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER
FDA200S 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER
FDA20N50 功能描述:MOSFET 500V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDA20N50_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FDA20N50_0707 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FDA20N50_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FDA20N50_F109 功能描述:MOSFET 500V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube